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MMBTH10-4LT1G中文资料

MMBTH10-4LT1G图片

MMBTH10-4LT1G外观图

  • 大小：300KB
  • 厂家：
  • 描述：RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
  • 频率 - 转换：800MHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：-
  • 增益：-
  • 功率 - 最大：225mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 4mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBTH10-4LT1G-NDMMBTH10-4LT1GOSTR

MMBTH10-4LT1G供应商

更新时间:2022-12-31 06:14:25
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